纳秒级写入_超万亿次擦写!中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

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直播吧12月13日讯CBA常规赛,辽宁86-77击败四川。此役,辽宁后卫赵继伟缺阵。赛后,辽宁队主帅杨鸣表示赵继伟在此前的比赛中喉咙被撞到后食道受伤,出现了严重的炎症和水肿。

12月26日消息,据媒体报道,在国际领域 学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的发布了一项突破性的(随机存取存储器)技术进展, 了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

纳秒级写入_超万亿次擦写!中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构,显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度,并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,从而大幅度增 刻蚀窗口,降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%,达到了大规模制造的要求。

同时,该器件实现了2纳秒的写入速度,超过1万亿次的写入/擦除操作次数(测量时间上限),并且具备持续微缩的潜力。

据了解,SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望 当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低,严重制约了其大规模生产与应用。

标签: #刻蚀 #器件 #大规模